ON Semiconductor MOSFET FQP13N10 N-Kanal 65W TO-220-3

ON Semiconductor MOSFET FQP 13N10 N-Kanal 65W TO-220-3

Technische Daten
Typ: FQP13N10
Gehäuse: TO-220-3
Hersteller: ON Semiconductor
Herst.-Abk.: OnS
Ausführung: N-Kanal
I(d): 12.8 A
U: 100 V
Ptot: 65 W
R(DS)(on): 180 mΩ
R(DS)(on) Referenz-Strom: 6.4 A
R(DS)(on) Referenz-Spannung: 10 V
U(GS)(th) max.: 4 V
U(GS)(th) Referenz-Strom max.: 250 µA
Q(G): 16 nC
Q(G) Referenz-Spannung: 10 V
C(ISS): 450 pF
C(ISS) Referenz-Spannung: 25 V
Betriebstemperatur (min.): -55 °C
Montageart: Durchführungsloch
Serie: QFET®
Betriebstemperatur (max.): +175 °C
Transistor-Merkmal: Standard
U(DSS): 100 V
Kategorie: MOSFET
Kanäle: 1
Marke: ON Semiconductor

Ersatztransistor für Albrecht ae 6110, Team minicom 2016,  CRT SS 9900,  CRT Millenium, President Lincoln II u.a.

Datenblatt

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