IRF 520N Power Mosfet Endstufentransistor

IRF 520N

Herstellerangaben:
MOSFET, N-CH, 100V, 9,7A, 48W, TO-220AB

    Typ: Unipolartransistoren (FETs)
    Ausführung: MOSFETs
    Technologie: N-CH
    UDS: 100 V
    Id: 9,7 A
    Ptot: 48 W
    RDS(on): 0,2 Ohm
    Bauform: TO-220AB
    fT: 2 MHz

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